NTB30N20T4GON Semiconductor
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- 标准包装 :800
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :30A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :81 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :100nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :2335pF @ 25V
- 功率 - 最大 :2W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装 :D2PAK
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :NTB30N20T4GOSNTB30N20T4GOS-NDNTB30N20T4GOSTR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2026-08-01-2026-08-31 | 1 |
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| 2 | 2026-07-01-2026-07-31 | 1 |
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| 5 | 2026-03-01-2026-03-31 | 5 |
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| 6 | 2026-02-01-2026-02-28 | 4 |
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| 7 | 2026-01-01-2026-01-31 | 1 |
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| 10 | 2024-06-01-2024-06-30 | 1 |
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