NTB23N03RT4ON Semiconductor
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- 制造商 :ON Semiconductor
- 产品种类 :MOSFET
- 晶体管极性 :N-Channel
- 汲极/源极击穿电压 :25 V
- 闸/源击穿电压 :+/- 20 V
- 漏极连续电流 :23 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通） :0.032 Ohms
- 配置 :Single
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 封装 / 箱体 :D2PAK
- 封装 :Reel
- 下降时间 :2 ns
- 正向跨导 gFS（最大值/最小值） :14 S
- 最小工作温度 :- 55 C
- 功率耗散 :37.5 W
- 上升时间 :14.9 ns
- 工厂包装数量 :800
- 典型关闭延迟时间 :9.9 ns
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