MJD30CTFFairchild Semiconductor
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- 制造商 :Fairchild Semiconductor
- 晶体管极性 :PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :100 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO :5 V
- 最大直流电集电极电流 :1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min :40 at 0.2 A at 4 V
- 配置 :Single
- 最大工作频率 :3 MHz
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 封装 / 箱体 :DPAK
- 封装 :Reel
- 最小工作温度 :- 65 C
- 功率耗散 :1560 mW
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