MCH6632-TL-E
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- 典型关断延迟时间 :19（N 通道）ns，29（P 通道）ns
- 典型接通延迟时间 :11（P 通道）ns，6（N 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs :1.4 nC @ 4 V（N 沟道），2.6 nC @ -4.5 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds :105 pF @ 10 V（N 沟道），160 pF @ -6 V（P 沟道）
- 安装类型 :表面贴装
- 宽度 :1.6mm
- 封装类型 :MCPH 6
- 尺寸 :2 x 1.6 x 0.85mm
- 引脚数目 :6
- 最大功率耗散 :0.8 W
- 最大栅源电压 :±10 V
- 最大漏源电压 :-12（P 通道）V，20（N 通道）V
- 最大漏源电阻值 :465（N 通道）mΩ，665（P 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流 :-1.5（P 通道）A，1.6（N 通道）A
- 最高工作温度 :+150 °C
- 每片芯片元件数目 :2
- 类别 :通用
- 通道模式 :增强
- 通道类型 :N，P
- 配置 :双
- 长度 :2mm
- 高度 :0.85mm
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