IXFN26N90IXYS
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参考价格:暂无参考价搜索次数:0现货供应商:0 家现货库存总量:0
- 标准包装 :10
- 类别 :半导体模块
- 家庭 :FET
- 系列 :HiPerFET™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :900V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :26A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :300 毫欧 @ 13A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :5V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :240nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :10800pF @ 25V
- 功率 - 最大 :600W
- 安装类型 :底座安装
- 封装/外壳 :SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装 :SOT-227B
- 包装 :管件
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2026-08-01-2026-08-31 | 3 |
0
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0.00%
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| 2 | 2026-07-01-2026-07-31 | 2 |
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-50.00%
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| 3 | 2026-06-01-2026-06-30 | 4 |
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33.33%
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| 4 | 2026-05-01-2026-05-31 | 3 |
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| 5 | 2026-01-01-2026-01-31 | 2 |
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| 6 | 2025-12-01-2025-12-31 | 1 |
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| 7 | 2025-11-01-2025-11-30 | 1 |
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| 8 | 2024-09-01-2024-09-30 | 1 |
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| 9 | 2024-07-01-2024-07-31 | 1 |
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| 10 | 2023-11-01-2023-11-30 | 1 |
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| 11 | 2023-10-01-2023-10-31 | 1 |
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| 12 | 2023-03-01-2023-03-31 | 2 |
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