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IXFN26N100P

IXFN26N100PIXYS

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  • 标准包装 :10
  • 类别 :半导体模块
  • 家庭 :FET
  • 系列 :Polar™
  • FET 型 :MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点 :标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss) :1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C :390 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大) :6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs :197nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds :11900pF @ 25V
  • 功率 - 最大 :595W
  • 安装类型 :底座安装
  • 封装/外壳 :SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装 :SOT-227B
  • 包装 :管件
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