IRF640NInternational Rectifier
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- 标准包装 :50
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :HEXFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :18A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :150 毫欧 @ 11A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :67nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :1160pF @ 25V
- 功率 - 最大 :150W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :TO-220AB
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRF640N
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-11-01-2024-11-30 | 1 |
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| 2 | 2024-10-01-2024-10-31 | 1 |
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| 3 | 2024-07-01-2024-07-31 | 1 |
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| 4 | 2024-06-01-2024-06-30 | 2 |
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| 5 | 2024-05-01-2024-05-31 | 1 |
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| 6 | 2024-02-01-2024-02-29 | 41 |
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| 7 | 2024-01-01-2024-01-31 | 41 |
0
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| 8 | 2023-10-01-2023-10-31 | 41 |
0
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| 9 | 2023-09-01-2023-09-30 | 41 |
-7
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-87.50%
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| 10 | 2023-08-01-2023-08-31 | 48 |
-7
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-46.67%
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| 11 | 2023-07-01-2023-07-31 | 55 |
-13
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-46.43%
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| 12 | 2023-06-01-2023-06-30 | 68 |
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