IRF640NInternational Rectifier
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:1000
- 标准包装 :50
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :HEXFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :18A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :150 毫欧 @ 11A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :67nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :1160pF @ 25V
- 功率 - 最大 :150W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :TO-220AB
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRF640N
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2026-08-01-2026-08-31 | 2 |
0
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-60.00%
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| 2 | 2026-07-01-2026-07-31 | 5 |
0
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-28.57%
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| 3 | 2026-06-01-2026-06-30 | 7 |
0
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0.00%
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| 4 | 2026-05-01-2026-05-31 | 1 |
0
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-93.75%
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| 5 | 2026-04-01-2026-04-30 | 16 |
0
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166.67%
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| 6 | 2026-03-01-2026-03-31 | 6 |
0
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100.00%
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| 7 | 2026-02-01-2026-02-28 | 3 |
0
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-25.00%
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| 8 | 2026-01-01-2026-01-31 | 4 |
0
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-20.00%
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| 9 | 2025-12-01-2025-12-31 | 5 |
0
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0.00%
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| 10 | 2025-06-01-2025-06-30 | 3 |
0
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0.00%
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| 11 | 2025-04-01-2025-04-30 | 1 |
0
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| 12 | 2024-11-01-2024-11-30 | 1 |
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