IRF150Magnatec
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- 典型关断延迟时间 :170 ns
- 典型接通延迟时间 :35 ns
- 典型栅极电荷@Vgs :50 → 125 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds :3700 pF V @ 25
- 安装类型 :通孔
- 宽度 :26.67mm
- 封装类型 :TO-3
- 尺寸 :39.95 x 26.67 x 7.87mm
- 引脚数目 :2
- 最低工作温度 :-55 °C
- 最大功率耗散 :150 W
- 最大栅源电压 :±20 V
- 最大漏源电压 :100 V
- 最大漏源电阻值 :0.065
- 最大连续漏极电流 :38 A
- 最高工作温度 :+150 °C
- 每片芯片元件数目 :1
- 类别 :功率 MOSFET
- 通道类型 :N
- 配置 :单
- 长度 :39.95mm
- 高度 :7.87mm
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-11-01-2025-11-30 | 3 |
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-25.00%
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| 2 | 2025-10-01-2025-10-31 | 4 |
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| 3 | 2025-09-01-2025-09-30 | 1 |
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-75.00%
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| 4 | 2025-08-01-2025-08-31 | 4 |
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| 5 | 2024-08-01-2024-08-31 | 1 |
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| 6 | 2024-05-01-2024-05-31 | 2 |
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| 7 | 2024-01-01-2024-01-31 | 2 |
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| 8 | 2023-12-01-2023-12-31 | 1 |
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| 9 | 2023-11-01-2023-11-30 | 1 |
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| 10 | 2023-06-01-2023-06-30 | 2 |
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| 11 | 2023-04-01-2023-04-30 | 2 |
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| 12 | 2023-03-01-2023-03-31 | 2 |
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