IPP100N04S4H2AKSA1
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- 现有数量 :0现货
- 价格 :停产
- 系列 :OptiMOS?
- 包装 :管件
- 产品状态 :停产
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :2.7 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :4V @ 70μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :90 nC @ 10 V
- Vgs（最大值） :±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :7180 pF @ 25 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :115W（Tc）
- 工作温度 :-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型 :通孔
- 供应商器件封装 :PG-TO220-3-1
- 封装/外壳 :TO-220-3
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