IPD90N06S4L-06
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- 数据列表 :IPD90N06S4L-06
- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :OptiMOS™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :90A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :6.3 毫欧 @ 90A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.2V @ 40µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :75nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :5680pF @ 25V
- 功率 - 最大 :79W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装 :PG-TO252-3
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SP000415594
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