FZ1200R17KF6C_B2
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- 制造商 :Infineon
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Dual Common Emitter Common Gate
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1700 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.6 V
- 在25 C的连续集电极电流 :1950 A
- 栅极—射极漏泄电流 :400 nA
- 功率耗散 :9.6 KW
- 最大工作温度 :+ 125 C
- 封装 / 箱体 :IHM130
- 栅极/发射极最大电压 :+/- 20 V
- 最小工作温度 :- 40 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 工厂包装数量 :2
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