CSD25310Q2Texas Instruments
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:1353
- 现有数量 :51,163现货
- 价格 :1<!-- --> : ￥4.69000剪切带（CT）3,000<!-- --> : ￥1.66352卷带（TR）
- 系列 :NexFET?
- 包装 :卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :P 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :20A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :4.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值） :±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :655 pF @ 10 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :2.9W（Ta）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :6-WSON（2x2）
- 封装/外壳 :6-WDFN 裸露焊盘
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