CSD17308Q3TTexas Instruments
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- 现有数量 :850现货10,000Factory
- 价格 :1<!-- --> : ￥7.63000剪切带（CT）250<!-- --> : ￥4.99096卷带（TR）
- 系列 :NexFET?
- 包装 :卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :14A（Ta），44A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :3V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :10.3 毫欧 @ 10A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :5.1 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值） :+10V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :700 pF @ 15 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :2.7W（Ta），28W（Tc）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 封装/外壳 :8-PowerTDFN
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