2SK3666-2-TB-EON Semiconductor
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:12000
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :JFET（结点场效应
- 系列 :-
- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) :600µA @ 10V
- 漏极至源极电压(Vdss) :30V
- 漏极电流 (Id) - 最大 :10mA
- FET 型 :N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :-
- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id :180mV @ 1µA
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :4pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开） :200 欧姆
- 安装类型 :表面贴装
- 包装 :带卷 (TR)
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :3-CP
- 功率 - 最大 :200mW
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