2SB1124T-TD-EON Semiconductor
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- 标准包装 :1,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :晶体管(BJT) - 单路
- 系列 :-
- 晶体管类型 :PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大） :3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） :50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） :700mV @ 100mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大） :-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :200 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大 :500mW
- 频率 - 转换 :150MHz
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-243AA
- 供应商设备封装 :PCP
- 包装 :带卷 (TR)
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