2N7002LT1GON Semiconductor
今日搜索:5昨日搜索:3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:5 家现货库存总量:15526
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :115mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :7.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :50pF @ 25V
- 功率 - 最大 :225mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :2N7002LT1GOSTR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-09-01-2025-09-30 | 1 |
0
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| 2 | 2025-08-01-2025-08-31 | 2 |
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| 3 | 2025-02-01-2025-02-28 | 3 |
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| 4 | 2024-12-01-2024-12-31 | 1 |
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| 5 | 2024-11-01-2024-11-30 | 1 |
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| 6 | 2024-09-01-2024-09-30 | 1 |
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-80.00%
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| 7 | 2024-08-01-2024-08-31 | 5 |
0
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| 8 | 2024-07-01-2024-07-31 | 5 |
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25.00%
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| 9 | 2024-06-01-2024-06-30 | 4 |
0
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| 10 | 2024-05-01-2024-05-31 | 2 |
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| 11 | 2024-01-01-2024-01-31 | 3 |
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| 12 | 2023-12-01-2023-12-31 | 1 |
-4
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月价格指数
| 序号 | 日期 | 价格 | 价格变化(元) | 价格变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-2-01-2024-02-29 | 0.1200 |
0
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| 2 | 2024-1-01-2024-01-31 | 0.1200 |
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| 3 | 2023-12-01-2023-12-31 | 0.1200 |
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| 4 | 2023-11-01-2023-11-30 | 0.1200 |
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