2N7000STMicroelectronics
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- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :STripFET™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :350mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :2nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :43pF @ 25V
- 功率 - 最大 :1W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装 :TO-92-3
- 包装 :散装
- 其它名称 :497-3110
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-10-01-2024-10-31 | 1 |
0
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0.00%
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| 2 | 2024-08-01-2024-08-31 | 1 |
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-66.67%
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| 3 | 2024-07-01-2024-07-31 | 3 |
0
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0.00%
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| 4 | 2024-06-01-2024-06-30 | 3 |
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-50.00%
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| 5 | 2024-05-01-2024-05-31 | 6 |
0
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| 6 | 2024-04-01-2024-04-30 | 2 |
0
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| 7 | 2024-03-01-2024-03-31 | 2 |
0
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-66.67%
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| 8 | 2024-02-01-2024-02-29 | 46 |
0
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-14.29%
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| 9 | 2024-01-01-2024-01-31 | 47 |
0
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-22.22%
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| 10 | 2023-12-01-2023-12-31 | 49 |
5
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125.00%
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| 11 | 2023-11-01-2023-11-30 | 44 |
-7
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-63.64%
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| 12 | 2023-10-01-2023-10-31 | 51 |
8
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266.67%
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