20N06
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:3 家现货库存总量:135000
- 现有数量 :0现货查看交期
- 价格 :2,500<!-- --> : ￥1.61982卷带（TR）
- 系列 :-
- 包装 :卷带（TR）
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :24 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值） :±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :1609 pF @ 30 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :41W（Tc）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :TO-252
- 封装/外壳 :TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-08-01-2025-08-31 | 1 |
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| 2 | 2025-04-01-2025-04-30 | 1 |
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| 3 | 2024-09-01-2024-09-30 | 2 |
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| 4 | 2024-05-01-2024-05-31 | 2 |
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| 5 | 2024-03-01-2024-03-31 | 2 |
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| 6 | 2023-10-01-2023-10-31 | 3 |
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| 10 | 2023-03-01-2023-03-31 | 1 |
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| 11 | 2023-02-01-2023-02-28 | 2 |
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 20N06 | 韦盛/VSEEI | 8266 | 24+ | TO-252 | 只做大芯片，替代进口 |