SI7850DP-T1
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- 制造商 :Vishay
- 产品种类 :MOSFET
- 晶体管极性 :N-Channel
- 汲极/源极击穿电压 :60 V
- 闸/源击穿电压 :+/- 20 V
- 漏极连续电流 :6.2 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通） :22 mOhms
- 配置 :Single
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 封装 / 箱体 :PowerPAK SO-8
- 封装 :Reel
- 下降时间 :10 ns
- 最小工作温度 :- 55 C
- 功率耗散 :1.8 W
- 上升时间 :10 ns
- 工厂包装数量 :3000
- 商标名 :TrenchFET
- 典型关闭延迟时间 :25 ns
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