SI7461DP-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:24000
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :8.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :190nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :-
- 功率 - 最大 :1.9W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装 :PowerPAK? SO-8
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI7461DP-T1-GE3TR
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-07-01-2024-07-07 | 2 |
0
|
0.00%
|
| 2 | 2024-06-24-2024-06-30 | 2 |
0
|
0.00%
|
| 3 | 2024-05-27-2024-06-02 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 4 | 2024-04-01-2024-04-07 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 5 | 2024-03-18-2024-03-24 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 6 | 2023-11-06-2023-11-12 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 7 | 2023-07-31-2023-08-06 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 8 | 2023-07-03-2023-07-09 | 2 |
0
|
0.00%
|
| 9 | 2023-06-05-2023-06-11 | 2 |
0
|
0.00%
|
| 10 | 2023-04-24-2023-04-30 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 11 | 2023-04-17-2023-04-23 | 1 |
0
|
0.00%
|
| 12 | 2023-02-27-2023-03-05 | 7 |
-6
|
-46.15%
|
| 13 | 2023-02-20-2023-02-26 | 13 |
6
|
85.71%
|
| 14 | 2023-02-13-2023-02-19 | 7 |
-4
|
-36.36%
|
| 15 | 2023-02-06-2023-02-12 | 11 |
2
|
22.22%
|
| 16 | 2023-01-30-2023-02-05 | 9 |
5
|
125.00%
|
| 17 | 2023-01-23-2023-01-29 | 4 |
1
|
33.33%
|
| 18 | 2023-01-16-2023-01-22 | 3 |
-6
|
-66.67%
|
| 19 | 2023-01-09-2023-01-15 | 9 |
3
|
50.00%
|
| 20 | 2023-01-02-2023-01-08 | 6 |
0
|
0.00%
|
推荐供应商
| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7461DP-T1-GE3 | VISHAY | 24000 | 23+ | PPAKSO-8 | 原厂渠道，现货，支持实单 |