SI7172DP-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:50000
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :25A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :70 毫欧 @ 5.9A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :77nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :2250pF @ 100V
- 功率 - 最大 :96W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装 :PowerPAK? SO-8
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI7172DP-T1-GE3TR
更多产品属性