SI4931DY-T1-E3
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- 数据列表 :SI4931DY
- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 阵列
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :2 个 P 沟道（双）
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :6.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :18 毫欧 @ 8.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1V @ 350µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :52nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :-
- 功率 - 最大 :1.1W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SOICN
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI4931DY-T1-E3TR
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