SI4923DY-T1-E3
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- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 阵列
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :2 个 P 沟道（双）
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :6.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :21 毫欧 @ 8.3A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :70nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :-
- 功率 - 最大 :1.1W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SOICN
- 包装 :带卷 (TR)
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