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SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:246
  • 数据列表 :SI4922BDY
  • 标准包装 :2,500
  • 类别 :分离式半导体产品
  • 家庭 :FET - 阵列
  • 系列 :TrenchFET®
  • FET 型 :2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点 :标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss) :30V
SI4922BDY-T1-E3(PDF下载)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C :16 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大) :1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs :62nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds :2070pF @ 15V
  • 功率 - 最大 :2W
  • 安装类型 :表面贴装
  • 封装/外壳 :8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装 :8-SOICN
  • 包装 :带卷 (TR)
  • 其它名称 :SI4922BDY-T1-E3TR
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1 2024-07-08-2024-07-14 1
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