SI4435DDY-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:4 家现货库存总量:279570
- 制造商 :Vishay
- 产品种类 :MOSFET
- 晶体管极性 :P-Channel
- 汲极/源极击穿电压 :30 V
- 闸/源击穿电压 :+/- 20 V
- 漏极连续电流 :8.1 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通） :24 mOhms
- 配置 :Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 封装 / 箱体 :SOIC-8 Narrow
- 封装 :Reel
- 下降时间 :12 ns, 16 ns
- 最小工作温度 :- 55 C
- 功率耗散 :2500 mW
- 上升时间 :8 ns, 35 ns
- 工厂包装数量 :2500
- 典型关闭延迟时间 :45 ns, 40 ns
- 零件号别名 :SI4435DDY-GE3
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-11-25-2024-12-01 | 1 |
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| 2 | 2024-09-09-2024-09-15 | 1 |
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| 3 | 2024-08-26-2024-09-01 | 1 |
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| 4 | 2024-07-22-2024-07-28 | 1 |
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| 5 | 2024-05-20-2024-05-26 | 1 |
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| 6 | 2024-04-01-2024-04-07 | 1 |
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| 7 | 2023-11-06-2023-11-12 | 11 |
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| 8 | 2023-10-02-2023-10-08 | 11 |
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| 9 | 2023-08-14-2023-08-20 | 11 |
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| 10 | 2023-07-31-2023-08-06 | 11 |
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| 11 | 2023-04-24-2023-04-30 | 12 |
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| 12 | 2023-04-17-2023-04-23 | 11 |
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| 13 | 2023-02-06-2023-02-12 | 11 |
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| 14 | 2023-01-09-2023-01-15 | 11 |
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| 15 | 2023-01-02-2023-01-08 | 11 |
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4435DDY-T1-GE3 | VISHAY | 90000 | 23+ | SOIC-8 | 原厂渠道，现货，支持实单 | ||
| SI4435DDY-T1-GE3 | VISHAY | 7500 | 22+ | SOP | 智弘电子 只做原装 |