SI2351DS-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:18141
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :2.8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :5.1nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :250pF @ 10V
- 功率 - 最大 :2.1W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI2351DS-T1-GE3TR
更多产品属性