SI2327DS-T1-E3
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- 数据列表 :SI2327DS
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :380mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :2.35 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :12nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :510pF @ 25V
- 功率 - 最大 :750mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI2327DS-T1-E3TR
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