SI2319CDS-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:4 家现货库存总量:160000
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :4.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :77 毫欧 @ 3.1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :21nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :595pF @ 20V
- 功率 - 最大 :2.5W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI2319CDS-T1-GE3TR
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-07-01-2024-07-07 | 3 |
2
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200.00%
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| 2 | 2024-06-24-2024-06-30 | 1 |
0
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0.00%
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| 3 | 2023-10-02-2023-10-08 | 1 |
0
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0.00%
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| 4 | 2023-08-14-2023-08-20 | 3 |
0
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0.00%
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| 5 | 2023-07-24-2023-07-30 | 1 |
0
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0.00%
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| 6 | 2023-06-26-2023-07-02 | 1 |
-3
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-75.00%
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| 7 | 2023-06-19-2023-06-25 | 4 |
0
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0.00%
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| 8 | 2023-06-05-2023-06-11 | 4 |
2
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100.00%
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| 9 | 2023-05-29-2023-06-04 | 2 |
0
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0.00%
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| 10 | 2023-02-27-2023-03-05 | 2 |
0
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0.00%
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| 11 | 2023-02-20-2023-02-26 | 1 |
-2
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-66.67%
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| 12 | 2023-02-13-2023-02-19 | 3 |
0
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY | 60000 | 23+ | SOT-23 | 原厂渠道，现货，支持实单 |