SI2302DDS-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:30
- 现有数量 :25,508现货
- 价格 :1<!-- --> : ￥3.90000剪切带（CT）3,000<!-- --> : ￥1.11564卷带（TR）
- 系列 :TrenchFET?
- 包装 :卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :2.9A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :850mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :5.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值） :±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :-
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :710mW（Ta）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI2302DDS-T1-GE3 | VISHAY | 30 | 1839+ | SOT23 | 原装现货北京库存 |