RDD022N60TL
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- 价格 :2,500<!-- --> : ￥4.73299卷带（TR）
- 系列 :-
- 包装 :卷带（TR）
- 产品状态 :不适用于新设计
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :6.7 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :4.7V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值） :±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :175 pF @ 25 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :20W（Tc）
- 工作温度 :150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :CPT3
- 封装/外壳 :TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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