PUMH18,115NXP Semiconductors
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- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列 :-
- 晶体管类型 :2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大） :100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） :50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧） :4.7k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） :10k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :50 @ 10mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） :100mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大） :1µA
- 频率 - 转换 :-
- 功率 - 最大 :300mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装 :6-TSSOP
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :934057899115PUMH18 T/RPUMH18 T/R-ND
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