NTR1P02LT1GON Semiconductor
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:3 家现货库存总量:243380
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :1.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :220 毫欧 @ 750mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1.25V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :5.5nC @ 4V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :225pF @ 5V
- 功率 - 最大 :400mW
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :NTR1P02LT1GOSTR
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-09-23-2024-09-29 | 1 |
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| 2 | 2024-07-22-2024-07-28 | 1 |
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| 3 | 2024-06-24-2024-06-30 | 1 |
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| 4 | 2024-04-15-2024-04-21 | 1 |
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| 5 | 2024-01-29-2024-02-04 | 11 |
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| 6 | 2023-11-06-2023-11-12 | 11 |
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| 7 | 2023-10-16-2023-10-22 | 11 |
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| 8 | 2023-07-24-2023-07-30 | 11 |
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| 9 | 2023-07-17-2023-07-23 | 11 |
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| 10 | 2023-05-29-2023-06-04 | 11 |
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| 11 | 2023-05-22-2023-05-28 | 11 |
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| 12 | 2023-03-06-2023-03-12 | 11 |
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| 13 | 2023-02-13-2023-02-19 | 11 |
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