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- 现有数量 :0现货
- 价格 :在售
- 系列 :-
- 包装 :卷带(TR)
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :17.5A(Ta),65A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :3.4 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :2.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) :30.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值) :-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :2100 pF @ 15 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散(最大值) :-
- 工作温度 :-
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :5-DFN(5x6)(8-SOFL)
- 封装/外壳 :8-PowerTDFN,5 引线
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