NTHC5513T1ON Semiconductor
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- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 阵列
- 系列 :-
- FET 型 :N 和 P 沟道
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :2.9A，2.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :180pF @ 10V
- 功率 - 最大 :1.1W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装 :ChipFET?
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :NTHC5513T1OS
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