NTB18N06T4GON Semiconductor
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- 标准包装 :800
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :90 毫欧 @ 7.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :22nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :450pF @ 25V
- 功率 - 最大 :48.4W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装 :D2PAK
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :NTB18N06T4GOS
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