MMBTH10LT1ON Semiconductor
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- 标准包装 :10
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :RF 晶体管 (BJT)
- 系列 :-
- 晶体管类型 :NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） :25V
- 频率 - 转换 :650MHz
- 噪声系数（dB典型值@频率） :-
- 增益 :-
- 功率 - 最大 :225mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :60 @ 4mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大） :-
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装 :SOT-23-3（TO-236）
- 包装 :剪切带 (CT)
- 其它名称 :MMBTH10LT1OSCT
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBTH10LT1G | ON | 609 | 15+ | SOT-23 | QQ询价原装真实库存现货热卖 | ||
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