IXTX600N04T2IXYS
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- 标准包装 :30
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchT2™ GigaMOS™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :600A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :1.5 毫欧 @ 100A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :590nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :40000pF @ 25V
- 功率 - 最大 :1250W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-247-3
- 供应商设备封装 :PLUS247?-3
- 包装 :管件
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-10-14-2024-10-20 | 1 |
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| 2 | 2024-09-02-2024-09-08 | 1 |
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| 3 | 2024-08-12-2024-08-18 | 1 |
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| 4 | 2024-08-05-2024-08-11 | 2 |
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| 5 | 2024-07-22-2024-07-28 | 1 |
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| 6 | 2024-01-15-2024-01-21 | 1 |
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| 7 | 2024-01-01-2024-01-07 | 1 |
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| 8 | 2023-12-11-2023-12-17 | 1 |
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| 9 | 2023-12-04-2023-12-10 | 1 |
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| 10 | 2023-11-20-2023-11-26 | 1 |
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| 11 | 2023-11-13-2023-11-19 | 1 |
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| 12 | 2023-11-06-2023-11-12 | 1 |
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| 13 | 2023-10-09-2023-10-15 | 1 |
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| 14 | 2023-10-02-2023-10-08 | 1 |
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