IXFN170N25X3
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- 现有数量 :193现货
- 价格 :1<!-- --> : ￥295.02000管件
- 系列 :HiPerFET?, Ultra X3
- 包装 :管件
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :170A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :7.4 毫欧 @ 85A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :4.5V @ 4mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :190 nC @ 10 V
- Vgs（最大值） :±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :13500 pF @ 25 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :390W（Tc）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :底座安装
- 供应商器件封装 :SOT-227B
- 封装/外壳 :SOT-227-4，miniBLOC
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