IXFN132N50P3IXYS
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- 标准包装 :10
- 类别 :半导体模块
- 家庭 :FET
- 系列 :Polar3™ HiPerFET™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :112A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :39 毫欧 @ 66A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :5V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :250nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :18600pF @ 25V
- 功率 - 最大 :1500W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :SOT-227-4
- 供应商设备封装 :SOT-227B
- 包装 :管件
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