IRFU120NInternational Rectifier
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- 标准包装 :75
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单路
- 系列 :HEXFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :210 毫欧 @ 5.6A, 10V
- 漏极至源极电压(Vdss) :100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :9.4A
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :25nC @ 10V
- 在 Vds 时的输入电容(Ciss) :330pF @ 25V
- 功率 - 最大 :48W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
- 供应商设备封装 :I-Pak
- 包装 :管件
- 其它名称 :*IRFU120N
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-01-15-2024-01-21 | 1 |
0
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| 2 | 2023-07-17-2023-07-23 | 1 |
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-66.67%
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| 3 | 2023-07-10-2023-07-16 | 3 |
1
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50.00%
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| 4 | 2023-07-03-2023-07-09 | 2 |
0
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| 5 | 2023-06-26-2023-07-02 | 2 |
-2
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-50.00%
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| 6 | 2023-06-19-2023-06-25 | 4 |
0
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0.00%
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| 7 | 2023-06-12-2023-06-18 | 1 |
-5
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-83.33%
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| 8 | 2023-06-05-2023-06-11 | 6 |
-1
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-14.29%
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| 9 | 2023-05-29-2023-06-04 | 7 |
-2
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-22.22%
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| 10 | 2023-05-22-2023-05-28 | 9 |
0
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| 11 | 2023-05-08-2023-05-14 | 1 |
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| 12 | 2023-04-10-2023-04-16 | 2 |
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| 13 | 2023-03-27-2023-04-02 | 2 |
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-33.33%
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0
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| 17 | 2023-02-27-2023-03-05 | 1 |
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| 18 | 2023-02-20-2023-02-26 | 1 |
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| 19 | 2023-01-30-2023-02-05 | 1 |
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| 20 | 2023-01-23-2023-01-29 | 1 |
-2
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| 21 | 2023-01-16-2023-01-22 | 3 |
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