IRF640SPBF
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- 数据列表 :IRF640S, LPBF
- 标准包装 :1,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :18A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :180 毫欧 @ 11A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :70nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :1300pF @ 25V
- 功率 - 最大 :130W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装 :D2PAK
- 包装 :管件
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