
IRF640PBF
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:2834
- 标准包装 :1,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :18A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C :180 毫欧 @ 11A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大) :4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :70nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :1300pF @ 25V
- 功率 - 最大 :125W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :TO-220AB
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :*IRF640PBF
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
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1 | 2024-12-23-2024-12-29 | 1 |
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2 | 2024-10-28-2024-11-03 | 1 |
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3 | 2024-06-17-2024-06-23 | 3 |
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4 | 2023-11-06-2023-11-12 | 2 |
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5 | 2023-10-16-2023-10-22 | 1 |
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7 | 2023-07-03-2023-07-09 | 1 |
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8 | 2023-06-26-2023-07-02 | 1 |
0
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9 | 2023-06-12-2023-06-18 | 2 |
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10 | 2023-05-29-2023-06-04 | 1 |
-1
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-50.00%
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12 | 2023-04-17-2023-04-23 | 2 |
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0
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14 | 2023-04-03-2023-04-09 | 1 |
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16 | 2023-03-20-2023-03-26 | 1 |
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19 | 2023-02-27-2023-03-05 | 1 |
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-1
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-50.00%
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21 | 2023-02-13-2023-02-19 | 2 |
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22 | 2023-01-30-2023-02-05 | 1 |
-3
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-75.00%
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23 | 2023-01-23-2023-01-29 | 4 |
1
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-1
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26 | 2023-01-02-2023-01-08 | 6 |
0
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