IPP80N06S2L-H5
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- 数据列表 :IPB,IPP80N06S2L-H5
- 标准包装 :500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :OptiMOS™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :80A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :5 毫欧 @ 80A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :190nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :5000pF @ 25V
- 功率 - 最大 :300W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :PG-TO220-3
- 包装 :管件
- 其它名称 :SP000219067
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