IPD90R1K2C3
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- 数据列表 :IPD90R1K2C3
- 产品培训模块 :CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :CoolMOS™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :900V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :5.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3.5V @ 310µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :28nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :710pF @ 100V
- 功率 - 最大 :83W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装 :PG-TO252-3
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :IPD90R1K2C3-NDSP000413720
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