FZ800R12KL4C
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- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Dual Common Emitter Common Gate
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.1 V
- 在25 C的连续集电极电流 :1300 A
- 栅极—射极漏泄电流 :600 nA
- 功率耗散 :5 KW
- 最大工作温度 :+ 125 C
- 封装 / 箱体 :IHM130
- 栅极/发射极最大电压 :+/- 20 V
- 最小工作温度 :- 40 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 工厂包装数量 :8
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-11-25-2024-12-01 | 1 |
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| 2 | 2024-10-14-2024-10-20 | 1 |
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| 3 | 2024-07-29-2024-08-04 | 1 |
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| 4 | 2024-05-27-2024-06-02 | 1 |
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| 5 | 2024-05-06-2024-05-12 | 1 |
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| 6 | 2024-01-08-2024-01-14 | 1 |
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| 7 | 2023-12-11-2023-12-17 | 1 |
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| 8 | 2023-12-04-2023-12-10 | 1 |
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| 9 | 2023-11-27-2023-12-03 | 1 |
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| 10 | 2023-11-13-2023-11-19 | 1 |
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| 11 | 2023-02-13-2023-02-19 | 1 |
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