FF100R12MT4
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- 制造商 :Infineon
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Dual
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 在25 C的连续集电极电流 :135 A
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Econo D
- 栅极/发射极最大电压 :+/- 20 V
- 最小工作温度 :- 40 C
- 安装风格 :Screw
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2023-07-10-2023-07-16 | 6 |
-10
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-62.50%
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| 2 | 2023-07-03-2023-07-09 | 16 |
5
|
45.45%
|
| 3 | 2023-06-26-2023-07-02 | 11 |
-1
|
-8.33%
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| 4 | 2023-06-19-2023-06-25 | 12 |
0
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0.00%
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| 5 | 2023-06-12-2023-06-18 | 1 |
-2
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-66.67%
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| 6 | 2023-06-05-2023-06-11 | 3 |
0
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0.00%
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| 7 | 2023-05-29-2023-06-04 | 1 |
-1
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-50.00%
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| 8 | 2023-05-22-2023-05-28 | 2 |
0
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0.00%
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| 9 | 2023-05-08-2023-05-14 | 1 |
0
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0.00%
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| 10 | 2023-04-24-2023-04-30 | 3 |
0
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0.00%
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