CSD88537NDTexas Instruments
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:60000
- 现有数量 :3,359现货10,000Factory
- 价格 :1<!-- --> : ￥10.49000剪切带（CT）2,500<!-- --> : ￥4.76994卷带（TR）
- 系列 :NexFET?
- 包装 :卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态 :在售
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 配置 :2 N-通道（双）
- FET 功能 :-
- 漏源电压（Vdss） :60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :15A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :15 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :3.6V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :18nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :1400pF @ 30V
- 功率 - 最大值 :2.1W
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装 :8-SOIC
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-10-14-2024-10-20 | 1 |
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| 2 | 2024-06-24-2024-06-30 | 2 |
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| 3 | 2024-01-22-2024-01-28 | 1 |
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| 4 | 2024-01-15-2024-01-21 | 1 |
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| 5 | 2023-11-06-2023-11-12 | 2 |
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| 6 | 2023-10-09-2023-10-15 | 1 |
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| 7 | 2023-10-02-2023-10-08 | 1 |
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| 8 | 2023-07-24-2023-07-30 | 1 |
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| 9 | 2023-07-17-2023-07-23 | 1 |
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| 10 | 2023-07-03-2023-07-09 | 1 |
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| 11 | 2023-03-27-2023-04-02 | 1 |
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| 12 | 2023-03-06-2023-03-12 | 1 |
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| 13 | 2023-02-13-2023-02-19 | 1 |
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