CM150TU-12F
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- 标准包装 :1
- 类别 :半导体模块
- 家庭 :IGBT
- 系列 :IGBTMOD™
- IGBT 类型 :沟道
- 配置 :三相反相器
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） :600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开） :2.2V @ 15V，150A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大） :150A
- 电流 - 集电极截止（最大） :1mA
- Vce 时的输入电容 (Cies) :41nF @ 10V
- 功率 - 最大 :520W
- 输入 :标准型
- NTC 热敏电阻 :无
- 安装类型 :底座安装
- 封装/外壳 :模块
- 供应商设备封装 :模块
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-05-27-2024-06-02 | 1 |
0
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0.00%
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| 2 | 2024-01-08-2024-01-14 | 1 |
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| 3 | 2023-10-02-2023-10-08 | 2 |
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| 4 | 2023-09-04-2023-09-10 | 1 |
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33.33%
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| 7 | 2023-07-03-2023-07-09 | 3 |
1
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50.00%
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| 8 | 2023-06-26-2023-07-02 | 2 |
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| 9 | 2023-06-19-2023-06-25 | 1 |
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| 10 | 2023-06-05-2023-06-11 | 6 |
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-40.00%
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| 11 | 2023-05-29-2023-06-04 | 10 |
5
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100.00%
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| 12 | 2023-05-22-2023-05-28 | 5 |
1
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| 13 | 2023-05-15-2023-05-21 | 4 |
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-1
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| 18 | 2023-03-20-2023-03-26 | 1 |
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| 19 | 2023-03-06-2023-03-12 | 1 |
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| 21 | 2023-02-06-2023-02-12 | 2 |
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| 22 | 2023-01-30-2023-02-05 | 2 |
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| 23 | 2023-01-23-2023-01-29 | 2 |
-2
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| 24 | 2023-01-16-2023-01-22 | 4 |
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