CM150DU-24F
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- 标准包装 :2
- 类别 :半导体模块
- 家庭 :IGBT
- 系列 :IGBTMOD™
- IGBT 类型 :沟道
- 配置 :半桥
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） :1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开） :2.4V @ 15V，150A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大） :150A
- 电流 - 集电极截止（最大） :1mA
- Vce 时的输入电容 (Cies) :59nF @ 10V
- 功率 - 最大 :600W
- 输入 :标准型
- NTC 热敏电阻 :无
- 安装类型 :底座安装
- 封装/外壳 :模块
- 供应商设备封装 :模块
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