BSM75GB120DN2
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:50
- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Half Bridge Module
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
- 在25 C的连续集电极电流 :105 A
- 栅极—射极漏泄电流 :320 nA
- 功率耗散 :625 W
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Half Bridge1
- 栅极/发射极最大电压 :20 V
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-09-08-2025-09-14 | 1 |
0
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| 2 | 2024-09-16-2024-09-22 | 1 |
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| 3 | 2024-07-01-2024-07-07 | 2 |
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-33.33%
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| 4 | 2024-06-24-2024-06-30 | 3 |
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| 5 | 2024-03-25-2024-03-31 | 1 |
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| 6 | 2024-03-18-2024-03-24 | 1 |
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| 7 | 2024-01-22-2024-01-28 | 1 |
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| 8 | 2024-01-08-2024-01-14 | 1 |
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| 9 | 2024-01-01-2024-01-07 | 1 |
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| 10 | 2023-12-25-2023-12-31 | 1 |
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| 11 | 2023-07-10-2023-07-16 | 1 |
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| 12 | 2023-06-05-2023-06-11 | 1 |
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| 13 | 2023-04-17-2023-04-23 | 1 |
0
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| 14 | 2023-03-20-2023-03-26 | 1 |
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